GaAs二次离子发射的氧和铯效应

• 作 者: 桂东[1]查良镇[1]金奇计[1]王有政[1]邹庆生[2]莫志强[2]
• 机 构: 大学电子工程系(北京)
• 出 处: 1998二次离子质谱学国际研讨会暨第二届全国二次离子质谱学会议
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 砷化镓 二次离子质谱学 氧效应 铯效应 能量分布

概括地总结了自９０年代以来对ＧａＡｓ二次离子发射氧和铯效应基础研究的主要成果。在准静态条件下，解决了用惰性气体Ａｒ〈’＋〉源注氧研究复杂ＧａＡｓ基体上二次离子发射氧效应的主要困难，得到了表面注氧和覆铯ＧａＡｓ二次离子产额和能量分布变化的实验规律，用ＴＯＦ－ＳＩＭＳ研究了砷化镓中ＭＣｓ〈’＋〉和ＭＣｓ〈，２〉〈’＋〉等原子团离子的发射特性，对其发射机理及分析应用进行了讨论。提出并实现了一种仅测量一次Ｃｓ〈’＋〉束流和靶电流，就能相当准确地直接测量二次钩了化率的新方法。实测结果表明，虽然铯的电离电位很低，但二次铯并非全部离化，研究了离化率与一次Ｃｓ〈’＋〉能量及样品类型的关系。