【摘 要】
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利用倾斜式生长的方法在倾斜角为80°的条件下制备了MoO3超薄层,并将该MoO3超薄层应用到有机电致发光二极管中的透明ITO电极上作为缓冲层.器件结构为ITO/MoO3/N,N-di (na
【机 构】
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北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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利用倾斜式生长的方法在倾斜角为80°的条件下制备了MoO3超薄层,并将该MoO3超薄层应用到有机电致发光二极管中的透明ITO电极上作为缓冲层.器件结构为ITO/MoO3/N,N-di (naphthalene-1-y1)-N,N-diphenyl-benzidene (NPB)/tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)/LiF/Al.同时,制备了正常生长条件下相同厚度的MoO3超薄层作为缓冲层的有机电致发光二极管.比较了含有两种不同生长条件下制备的MoO3层的电致发光器件的性能.倾斜式生长法制备的超薄层作为缓冲层的器件显示出了较低的起亮电压及较高的发光强度.沉积条件的改变导致了超薄层表面粗糙度的改变,增大了超薄层与有机层的接触界面,这种改变影响了载流子的分布,改善了载流子的注入.MoO3超薄层的引入同时改善了器件的稳定性.
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