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氧化锌是重要的宽禁带半导体光电材料，掺杂方法和生长条件会影响其微观结构和光学性能。我们采用热氧化方法生长了镓掺杂氧化锌薄膜，表征了薄膜的形貌、镓掺杂及缺陷状态等微观结构和光学性能，探讨了薄膜的生长过程及其发光性能与生长条件的依存关系，研究了薄膜的紫外发光特性及载流子复合过程。本报告将介绍相关研究工作进展。