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利用低温光荧光技术研究了掺铒硅样品的光致发光特性。硅衬底室温离子注入铒离子，经过低温退火后，样品的发光强度视温退火温度变化而改变，当退火温度伙８００℃－９００℃时，其１．５４μｍ发光最强。测量样品的变温光致发光谱，ＰＬ强度随测量温度的升高而衰减，在１３０Ｋ温度下仍可看到其１．５４μｍ发光峰。研究掺铒硅ＰＬ强度随激发功率的变化表明：在低激发功率下（〈４０ｍＷ），发光强度随激发功率增加而递增，当功率超过５０ｍＷ时，发光强度趋于饱和。