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本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-Al<,2>O<,3>衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ族源O<,2>气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.
O<,2>气流量对LP-MOCVD法生长的ZnO薄膜性质的影响
【摘 要】
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本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-AlO衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区(吉林长春)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年期
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