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本文研究了在空气和氧气等离子体中的氧化对P-型GaN上的Ni/Au透明电极的影响.发现在500℃时接触电阻随合金温度逐渐降低并趋于饱和.而等离子体气氛下的氧化会升高接触电阻.但在N<,2>中的退火可以消除等离子体氧化的影响.
氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响
【摘 要】
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本文研究了在空气和氧气等离子体中的氧化对P-型GaN上的Ni/Au透明电极的影响.发现在500℃时接触电阻随合金温度逐渐降低并趋于饱和.而等离子体气氛下的氧化会升高接触电阻.但
【机 构】
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北京大学介观物理实验室,北京大学物理系(北京)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年期
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