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SiO2具有优良的光学特性及其稳定的化学特性，在PolyMUMPs工艺中被作为牺牲层，为了完成结构层的制作，需对SiO2层进行刻蚀，因此对SiO2的干法刻蚀工艺研究具有重要意义。实验中使用的SiO2薄膜采用射频磁控溅射法得到；掩模采用AZ1500光刻胶；刻蚀气体采用CHF3和O2；刻蚀机是中科院微电子中心制造的ME-3A型多功能磁增强反应离子刻蚀机(MERLE)。由于刻蚀过程中的本底真空与反应气体流量、自偏压与射频功率之间存在正比例的关系，因此只对气体流量、气体组分、射频功率这三个可调参数进行研究，得到最优化的刻蚀速率、刻蚀选择比和刻蚀面粗糙度。