【摘 要】
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利用硅-SiO复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅不同的SiO薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火.利用X射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析.结果表明三种样品都存在纳米硅粒子.使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出的结晶情况,富硅量较大的两种SiO薄膜都观测到纳米硅晶粒.统计结果表明:复合靶中硅组分从20﹪增加到30﹪,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15﹪、密
【机 构】
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河北半导体研究所(石家庄) 北京大学物理系(北京)
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
利用硅-SiO<,2>复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅不同的SiO<,2>薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火.利用X射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析.结果表明三种样品都存在纳米硅粒子.使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出的结晶情况,富硅量较大的两种SiO<,2>薄膜都观测到纳米硅晶粒.统计结果表明:复合靶中硅组分从20﹪增加到30﹪,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15﹪、密度增加了2.5倍,而且随着退火温度从900℃增加到1100℃,纳米硅晶粒的平均尺寸和密度都明显增加.
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