【摘 要】
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选择高阻N型单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区,以减少器件的暗电流.通过对比实验发现,当N区的注入量增大时,在相同反向偏压条件下,器件的暗电流密度随之减小,同时击穿电压也相应减小.为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度,我们还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触.对减薄后
【机 构】
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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
选择高阻N型<100>单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区,以减少器件的暗电流.通过对比实验发现,当N区的注入量增大时,在相同反向偏压条件下,器件的暗电流密度随之减小,同时击穿电压也相应减小.为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度,我们还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触.对减薄后的器件进行I-V特性测量,由于工作电压大幅降低,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小.同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大,将器件温度降低到-15℃,暗电流密度可降低到1nA/mm<2>以下.
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