【摘 要】
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采用测量multi-section单程增益放大自发发射方法研究了MOCVD方法生长的多层结构InGaAs/GaAs量子点光增益特性.随着注入电流的增大,峰值增益相应增大,同时增益谱峰向短波方向
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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采用测量multi-section单程增益放大自发发射方法研究了MOCVD方法生长的多层结构InGaAs/GaAs量子点光增益特性.随着注入电流的增大,峰值增益相应增大,同时增益谱峰向短波方向移动,增益谱宽度也增大.在同样的注入电流密度下,量子点的增益随着量子点层数的增加而增大,而且增益谱宽度减小.实验证明通过采用多层量子点结构可以提高材料的光增益,有效地降低量子点激光器的阈值电流密度,并且易于获得量子点基态激射.
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