采用VHF-PECVD技术制备大面积PPPP型微晶硅材料

• 作 者: 任慧志 赵颖 张晓丹 葛洪 王宗畔
• 机 构: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
• 出 处: 中国可再生能源学会2011年学术年会
• 发表日期: 2011年期
• 关键词: 技术 制备 面积 微晶 结构和电学特性 硅材料 等离子体增强化学气相沉积 沉积参数 晶化率 高电导率 辉光功率 硅烷浓度 甚高频 掺杂比 优化 实验 结果 厚度

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备高电导率、高晶化率的P 型大 面积微晶硅材料。研究了硼掺杂比、硅烷浓度和辉光功率对P 型微晶硅材料微结构和电学特性的影响。实验 结果表明，P 型微晶硅材料微结构和电学特性与沉积参数密切相关。通过优化沉积参数，在厚度为31nm 时， 获得了晶化率67％，电导率0.68S/cm的大面积P 型微晶硅材料。