原子力显微镜测量光辅助湿法刻蚀后的氮化镓并估算其位错密度

来源 :第六届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cao678

【摘要】

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对采用分子束外延技术生长的氮化镓进行位错密度的分析,目前的报道并不多.本文介绍了采用光辅助湿法刻蚀氮化镓后进行原子力显微镜(AFM)的分析,可以估算氮化镓的位错密度.并采用X-ray衍射的二维三轴maping图谱(TDTAM)计算位错密度的方法对估算结果进行验证,得到一致的结果.表明:使用光辅助湿法刻蚀氮化镓后的AFM分析估算氮化镓的位错密度是一个有效而直观的方法.

【作者】

：

赵智彪齐鸣李爱珍李伟祝向荣

【机构】

：

中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)

【出处】

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第六届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2001年6期

【关键词】

：

氮化镓分子束外延位错密度湿法刻蚀 X-ray衍射分析

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