In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As MM-HEMT材料MBE生长

来源 :第六届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：freecase

【摘要】

：

采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的InGaAs/InAlAs MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov-de Hass(SdH)振荡测试,并通过有限差分法自恰求解薛定谔方程的泊松方程,给出了材料的导带结构、费米能级和量子阱中的子带波函数,完成了PL谱中峰的指认工作.

【作者】

：

崔利杰王保强朱战平

【机构】

：

中国科学院半导体所新材料部(北京)

【出处】

：

第六届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2001年6期

【关键词】

：

分子束外延生长 MM-HEMT材料导电结构振荡测试 GaAs衬底

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采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov-de Hass(SdH)振荡测试,并通过有限差分法自恰求解薛定谔方程的泊松方程,给出了材料的导带结构、费米能级和量子阱中的子带波函数,完成了PL谱中峰的指认工作.

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