【摘 要】
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本文采用溶胶凝胶法成功制备了HfO2-ZITO TFT和Al2O3-ZITO TFT.同时对HfO2和Al2O3薄膜的基本特性包括表面性能,结晶性能,介电常数进行了对比.HfO2相较于Al2O3薄膜而言,更容易
【机 构】
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上海大学,上海市闸北区延长路149号200072
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本文采用溶胶凝胶法成功制备了HfO2-ZITO TFT和Al2O3-ZITO TFT.同时对HfO2和Al2O3薄膜的基本特性包括表面性能,结晶性能,介电常数进行了对比.HfO2相较于Al2O3薄膜而言,更容易结晶,表面粗糙度大但相对介电常数大.这导致了以其为绝缘层的TFT器件关态电流较大.但是由于Al2O3薄膜的相对介电常数小导致开态电流稍低.同时,本文也对两种绝缘层进行了详细研究,更有利于TFT器件的工艺研究和开发.
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