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该文应用正弦反应方法分析了理想导体目标的表面及近区场。选择了横向余弦分布的分段正弦基（ＰＷＳ），使得同一平面面元之间的自／互阻抗表达式成为一重积分，提高了精度、加快了运算速度，此外面元的表面场也可以闭式得到。研究了利用面元的几何位置快速填充阻抗矩阵的方法，同时提出用Ｇａｕｓｓ积分求解非共面面元之间互阻抗的方法。最后给出数值实例，计算了理想导体弯曲平板及立方体在平面波照射下表面电流及表面场，并与脉冲基、点选配的矩量法进行了对比，结果表明该文方法的正确性及优越性。