论文部分内容阅读
本研究着重研究了籽晶极性对4H-SiC晶体的晶型、电学性质以及杂质含量的影响，分析了籽晶极性对SiC晶体生长的影响机理。
籽晶极性对4H-SiC晶体生长的影响
【摘 要】
：
本研究着重研究了籽晶极性对4H-SiC晶体的晶型、电学性质以及杂质含量的影响，分析了籽晶极性对SiC晶体生长的影响机理。
【机 构】
：
中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心,北京,100190;北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京,100190北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京,100190
【出 处】
：
第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
【发表日期】
：
2012年7期
其他文献
Ufer扩展的Debye计算散射和单层超晶格的应用，把乱层序结构的物质的分析容纳入多相Rietveld分析中。BGMN和Maud全谱拟合分析软件，把它作为微结构模型的一部分选项容入程序
在本实验中，对N型4H-SiC(0001)碳化硅衬底上外延石墨烯样品进行拉曼测试。在无外加单轴应力和人为掺杂调控的情况下，发现了G峰的劈裂现象。光电子能谱分析石墨烯的层数在4-
Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3化合物在准同型相边界(MPB)处具有BiScO3-PbTiO3相近的居里温度(478℃)，而且其原料价格低廉，具有潜在的应用价值。本文通过加入BaZrO3将降低A位离
本文系统研究了6H-SiC(11-20)外延多层石墨烯的性能。通过热分解6H-SiC(11-20)得到多层石墨烯，并利用原子力显微镜和拉曼图谱表征其形貌、褶皱分布和非谐声子效应。实验发
本文报道了常压下具有超导转变温度>30K的K0.8Fe2Se2之后，合成了一系列的K0.8Fe2-xCoxSe2(0≤x≤0.035)样品，并对其输运以及磁学性质进行了初步的表征及分析。
研究小组开展了在N2气氛下采用物理气相传输法生长3C-SiC晶体的研究。实验结果发现，采用4H (000-1)面籽晶能生长出3C-SiC，但是在4H(000-1)面上3C-SiC多为二维岛状生长，目前
Abnormal lattice variation, and the correlated magnetic,electronic transport properties in intermeta
会议
本文将X射线衍射技术成功应用于材料与机械的交叉科学中,通过残余应力和衍射线形的变化,对局部塑性形变及损伤进行科学评价、监测及寿命估算等,解决了我国电站设备、核工、航
会议