在氮气气氛下生长3C-SiC晶体

• 作 者: 王顺冲 王刚 孙伟 刘春俊 陈小龙
• 机 构: 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心,北京,100190
• 出 处: 第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
• 发表日期: 2012年7期
• 关键词: 碳化硅 晶体生长 氮气 拉曼光谱测试 半导体材料

　　研究小组开展了在N2气氛下采用物理气相传输法生长3C-SiC晶体的研究。实验结果发现，采用4H (000-1)面籽晶能生长出3C-SiC，但是在4H(000-1)面上3C-SiC多为二维岛状生长，目前还不能生长较大尺寸的3C-SiC。4H-SiC(03-38)面虽然与3C-SiC(001)面晶格匹配，但是很高的台阶密度使得生长模式为台阶流动生长，不利于3C-SiC形核。拉曼光谱测试表明，在4H-SiC(03-38)面生长的晶体为4H-SiC。