电子辐照对分子束外延生长的四结室温键合太阳电池性能的影响

• 作 者: 李雪飞[1]代盼[1]季莲[1]谭明[1]内田史朗[2]吴渊渊[1]艾尔肯·阿不都瓦伊提[3]马丽娅·黑尼[3]郭旗[3]边立峰[1]陆书龙[1]杨辉[1]
• 机 构: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,中国 苏州 215123
• 出 处: 第十二届全国分子束外延学术会议
• 发表日期: 2017年期

　　本文研究了1-MeV 的电子辐照对全固态分子束外延设备生长GaInP/GaAs//InGaAsP/InGaAs 四结室温键合太阳电池性能的影响。在经过剂量为1×1015e/cm2的1MeV 电子辐照之后，电池效率衰减到原来的85％，且电池性能的降低主要是受开路电压的影响。光谱响应及透射电镜结果表明四结电池的键合界面具有良好的透光性及抗辐照性。同时分别对InGaAsP 和InGaAs 单结电池进行了1-MeV 电子辐照测试。经过对比分析，发现四结电池经过电子辐照的衰减并非由于键合界面所致，而主要是由于InGaAsP 和InGaAs 子电池的辐照损伤引起的。