【摘 要】
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以InSb、InAs 和 GaSb 为代表的III-V 族半导体,具有极其优异的电子输运特性和独特的小能隙能谱结构,是研制新型超高速纳米电子器件的重要候选材料。然而实验上发现,InAs
【机 构】
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中国人民大学物理学系 北京 100872
【出 处】
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第十四届全国青年材料科学技术研讨会
论文部分内容阅读
以InSb、InAs 和 GaSb 为代表的III-V 族半导体,具有极其优异的电子输运特性和独特的小能隙能谱结构,是研制新型超高速纳米电子器件的重要候选材料。然而实验上发现,InAs 纳米线随其直径、生长温度、生长气体分压等不同呈现多种多态晶体结构,其中,闪锌矿(ZB)和纤锌矿(WZ)是两种最主要结构,多年努力,其能量本质、动力学过程仍不甚清楚[1]。
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