相变存储器单元总剂量辐射效应的研究

• 作 者: 周东 郭旗 宋志棠 吴良才 李豫东 席善斌
• 机 构: 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200090 新疆功能材料与电子信息器件重点实验室,乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院,北京 1
• 出 处: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
• 发表日期: 2011年7期
• 关键词: 航天器 相变存储器 总剂量辐照 抗辐照能力

　　通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验，分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化，研究基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元的抗辐照能力。实验显示，辐照后器件单元的阈值电压及阈值电流未发生明显变化，相变特性稳定，相变材料的晶态和非晶态阻值仅有微小变化。结果表明，基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元具有较强的抗辐照能力。