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数值模拟技术是分析和优化大直径硅单晶生长的有效工具。采用有限元分析软件FEMAG-CZ计算了在700mm热场中生长300mm直拉单晶硅的过程中，当热屏底端处于不同位置时热场中的温度分布。模拟中考虑了熔体和气流流动对晶体生长过程的影响，通过对生长界面上V/G比值、热应力的分析，得出：在该热场中尽量低的坩埚位置和距晶体适当近的热屏底端位置有利于生长高质量晶体。模拟计算结果表明，在该热场条件下，最佳热屏位置是热屏底端距晶体和距熔体自由液面距离依次为75mm和120mm。