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在以氮化铝厚膜基片为衬底的功率混合集成电路中,由于氮化铝浅表面吸潮在通常的高温烘烤下难以彻底挥发,导致厚膜导带与氮化铝衬底的附着力不稳定,在键合时,容易出现厚膜健合区金属层脱层,影响键合的可靠性,从而影响电路的可靠性.本文主要论述提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法,以解决附着力不良导致健合脱层的问题.经过本文所述集成方法的研究与实施，在功率混合集成电路领域开辟了高可靠系列产品。由于工艺技术的特点，除了解决了导带附着力外，由于接触的致密性，还改善了散热问题，对提高电路的可靠性起到了良好的保障作用，应用此技术的产品具有广阔的发展空间和应用空间。