论文部分内容阅读
本文针对改进缓冲层生长条件，在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延（MOCVD）方法对无掩模横向外延（ELO）GaN 薄膜进行了研究。实验中在蓝宝石衬底上用化学腐蚀法刻蚀出图案，再沉积低温GaN 缓冲层作为外延层的籽晶层，最终沉积高温GaN，制备出低位错密度的GaN 外延层。实验采用了插入中间温度缓冲层的方法，并与采用常规的低温缓冲层的外延片进行了对比，文章分析了横向外延沉积的原理，并分别利用x 射线衍射，湿法腐蚀以及扫描电子显微镜对外延层进行检测，实验结果证明利用无掩模横向外延技术以及中温缓冲层结构，可以生长出位错密度较低的表面形貌明显提高的GaN薄膜。