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InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器激射特性研究

来源 :第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：PhilippsWang
【摘 要】
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利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为(15±10)A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,电流密度为144A/cm,连续波光功率输出2.67W(双面),外量子效率为63﹪,特征温度为320K.研究了
【作 者】
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钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国 
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心(北京)
【出 处】
：
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
：
2004年7期
【关键词】
：
应变自组织量子点 InAs/GaAs 量子点激光器 激射特性 分子束外延技术 InAs/GaAs量子点 
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利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为(15±10)A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,电流密度为144A/cm<2>,连续波光功率输出2.67W(双面),外量子效率为63﹪,特征温度为320K.研究了QD激光器的激射特性,并对结果作了讨论.
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