论文部分内容阅读
研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.
内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性研究
【摘 要】
：
研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.
【机 构】
：
中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京) 中科院半导体研究所新材料部(北京)
【出 处】
：
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
：
2004年7期
其他文献
该文描述的红外图像显示，记录系统结合了目前相关领域先进的计算机编程技术，以C语言为主体、内嵌核心汇编语言，可以完全控制对图像数据的操作，将IRFPA的数据实时记录在EIDE硬盘（硬盘容量为限）或扩展内存中，同时以VESA 112H即640×480×16M模式同步显示于SVGA上（256级灰度），记录的图像数据可以各种方式检索，图像也可以存储为Windows BMP格式，该系统与传统方法相比，无论在
对变面积，变间距InSb光伏二级管线列阵器件进行了零偏压阻抗，量子效率和小光点扫描测量分析，得到在目前材料和工艺水平下器件的最好RA值为6.45×10Ωcm，少子横向收集长度为33.4～39.3μm的像元之间串音为19～30μm的像元之间串音为19～36℅，说明少子横向收集和表面漏电等因素对小面元。，小间距列阵器件性能的影响不容忽视
经过上述处理的电流-电压特性与实际测量的结果表现出很大的差别。在RA随温度的变化趋势上，不扣除串联电阻影响的情况下表现出在高温区接近产生-复合限制，而扣除串联电阻后得到的则更接近于扩散限制。而且后者RA在数值上比前者小2-3个数量级，表明串联电阻的影响是很大的，如果忽略这个因素，可能导致实际工艺中对器件的评价出现严重错误。
本文对含金属丝的络合包芯纱的加工进行了探讨。文章围绕不锈钢丝的喂入角对络合包芯纱强度的影响、短纤/金属丝包芯纱的载荷位移曲线、短纤/金属丝包芯纱中包覆材料捻回角和支数与断裂强度的关系、短纤/金属丝复合纱的毛羽等进行了阐述。
本文对全数字式系列智能竹节纱生产装置进行了介绍。文章围绕环锭细纱机牵伸系统改造、转杯纺纱机的喂入系统机电一体化改造、伺服电机和步进电机系统加减速优化及与主机的同步、单片机系统的硬件设计与软件、5配套新产品的工艺与检测手段等进行了阐述。
本文介绍的用细纱机生产粗细纱的设备改造方法，是在保留细纱机原有功能的基础上，使它扩大了功能。其纺纱性能稳定可靠，改装费用低，符合了现在纺织企业希望改造原有设备，开发新产品的要求。
本文对金属纤维特种花式线及其电磁波屏蔽织物开发进行了探讨。文章指出，以不锈钢长丝和短纤为芯纱原料,短纤包覆在长丝周围,包缠棉及彩色涤纶丝为饰纱,可纺制出具有电磁波屏蔽特殊功能的花色花式线；可通过搭配不同棉及彩色涤纶丝为饰纱,获得不同形态与色彩的含金属导电丝的花式纱线，织造出不同风格效果的抗电磁辐射织物。
本文对花式线的强伸性能进行了研究。文章围绕花式线强力理论分析、花式线强力测定试验、拉伸曲线特征、拉伸曲线拟合、花式线的拉伸性能分析等进行了阐述。
本文对花式纱线资源的获取进行了探讨。文章围绕Internet资源搜索引擎、Internet上的专业数据库等信息查询途径进行了阐述。