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锗硅纳米线因其在微电子和光电子器件上的应用前景而受到了广泛关注。但目前最常用的VLS生长方法也存在着与现有的硅半导体工艺不兼容的缺点，因此了限制了其潜在的应用价值。而我们则发现在硅(1 1 10)衬底上异质外延锗的初期会形成由两个{105} 面接触形成的平面延伸的三棱形锗硅纳米线。我们利用扫描隧道显微镜、高能电子衍射等手段观察了纳米线的初始形成过程，利用第一性原理计算结合有限元方法计算了表面能、应变能和棱能对纳米线形成的影响。