半导体激光对感染根管粪肠球菌杀菌作用的体外研究

来源 :第九次全国牙体牙髓病学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cot01
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  目的:评价半导体激光对感染根管粪肠球菌的杀菌效果.方法:选用54颗人离体单根牙,建立粪肠球菌感染模型,随机分为5组,即空白对照组与4组激光组.空白对照组用机用Protaper F3锉预备根管,激光组F3预备后分别用1.0W、2.0W半导体激光照根管内壁10s、20s.取各组标本处理前后根管内壁表面细菌培养计数,并收集两种深度的牙本质碎屑(ProtaperF4锉、F5锉依次预备),培养比浊计数.结果:①各组处理后根管内壁细菌量均下降,空白对照组杀菌率为39.45%,杀菌率分别为92.01%、93.18%、92.64%、92.94%,激光组与空白组有显著性差异,而各激光组之间无差异.②两种深度部位的牙本质碎屑培养比浊显示激光组均有杀菌作用,其中照射10s时2.0W功率比1.0W杀菌效果好,而照射20s时不同功率杀菌效果无差异;用1.0W功率照射20s比10s杀菌效果好,而2.0W激光照射10s、20s杀菌效果无差异.结论:与单纯机械预备相比,半导体激光对感染根管内粪肠球菌杀菌效果更好;半导体激光有一定穿透能力,能杀灭侵入牙本质小管内的细菌,在一定范围内激光杀菌效果随着时间延长、功率增大而增强.
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