氧化物电致电阻效应机制的研究进展

• 作 者: 葛琛 杨国桢 金奎娟 徐中堂 谷林 金昱伶 王灿 郭海中 吕惠宾 赵瑞强
• 机 构: 中国科学院物理研究所,北京凝聚态国家物理实验室 100190
• 出 处: 中国物理学会2012年秋季学术会议
• 发表日期: 2012年期
• 关键词: 氧化物 电阻型 效应机制 非破坏性读出 随机存储器 结构简单 工作机制 非易失性

电致电阻型随机存储器(Resistive switching random access memory RRAM)具有高密度、高速度、非破坏性读出、非易失性、结构简单等特点被寄予厚望,吸引了研究人员的广泛关注.到目前为止,阻变材料的工作机制尚无定论,但研究人员认为氧空位在阻变过程中起着重要的作用.