【摘 要】
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本文介绍了一种运用于高压双极电路的结隔离3μm自对准多晶硅发射极双极互补工艺,采用该工艺技术制作的晶体管,其NPN管BV>50V、f=1.8GHz,PNP管BV>70V、f=425MHz.将这一工艺应
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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本文介绍了一种运用于高压双极电路的结隔离3μm自对准多晶硅发射极双极互补工艺,采用该工艺技术制作的晶体管,其NPN管BV<,CEO>>50V、f<,T>=1.8GHz,PNP管BV<,CEO>>70V、f<,T>=425MHz.将这一工艺应用于高压、高速驱动器SW217的研制,成功地作出了电源电压为45V、速度≤250ns的高压、高速驱动器电路.
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