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本文研究了肖特基效应对金属半导体接触的影响.通过采用自洽的蒙特卡罗方法,模拟了引入肖特基效应后,SBD的垫垒降低量和工作特性,验证了模拟使用的物理模型.得到了与理论计算值符合的模拟结果.分析模拟结果表明,由于肖特基效应形成的金属半导体接触势垒的降低,会在很大程度上影响金属半导体接触的输运特性.
蒙特卡罗方法模拟肖特基效应
【摘 要】
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本文研究了肖特基效应对金属半导体接触的影响.通过采用自洽的蒙特卡罗方法,模拟了引入肖特基效应后,SBD的垫垒降低量和工作特性,验证了模拟使用的物理模型.得到了与理论计算
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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