【摘 要】
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通过分析湿法刻蚀中横向钻蚀的产生机理,建立了连续深浮雕微透镜列阵光刻工艺的数学模型.再通过计算机仿真,最终实现了对工艺过程的模拟分析.为光刻过程中各参量的选取和刻蚀
【机 构】
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中科院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室(成都)
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
通过分析湿法刻蚀中横向钻蚀的产生机理,建立了连续深浮雕微透镜列阵光刻工艺的数学模型.再通过计算机仿真,最终实现了对工艺过程的模拟分析.为光刻过程中各参量的选取和刻蚀结果的分析提供了可靠的依据,对整个光刻工艺过程具有指导性的意义.本文最后按照计算机对单元接口径500微米,位相深度20微米微透镜列阵进行仿真得到的蚀刻参数进行刻蚀,获得了良好的蚀刻结果,从实验的角度证明了模型的合理性.
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