【摘 要】
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为了获得高效率的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池,本文分别对背反射电极、高开路电压a-Si顶电池、高效率a-SiGe中间电池以及μc-Si底电池进行了研究.首先采用溅射绒面金属Ag
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光学信息技术科学教育部重点实验室,天津, 300071
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为了获得高效率的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池,本文分别对背反射电极、高开路电压a-Si顶电池、高效率a-SiGe中间电池以及μc-Si底电池进行了研究.首先采用溅射绒面金属Ag和平面Zn0的方法获得了高反射和较高绒度的Ag/ZnO复合背电极,RMS为40nm,400～1200nm范围内的总反射大于85％,800nm出的反射绒度达50％.为了提高a-Si顶电池的开路电压,提出了一种功率梯度法来制备p-nc-Si:H窗口层,有效提高了电池的填充因子和开路电压,最高的开路电压达到0.995V.对于a-SiGe中间电池,重点研究了本征层的GeH4流量梯度、n/i和i/p缓冲层对太阳电池长波段光谱响应和填充因子的影响,目前得到的在最高转换效率达9.75％.在上述单结子电池的基础上,通过调整电流匹配和隧穿结,a-Si/a-SiGe叠层电池效率达到12.06％,a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池效率达13.O9％.
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