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本研究中,使用GaCl3和InCl3为原料,LiNH2为氮源,对一种在较低合成温度下可同时合成GaN和InN的方法进行研究,以实现在不使用衬底的条件下制备InxGa1-xN粉末.使用GaCl3. InCl3. LiNH2为原料，并用CCIa进行前处理后，在400℃下反应2hr后，得到的最终产物中经由XRD检测结果可确定In,tGai-XN的存在，证明该化学合成方法可在无衬底材料的条件下制备InXGai-XN粉末，其收率为24.7％。利用XRD谱线，经过计算可知该InXGai-XN的晶格常数为a=3.374A6，c=5.397A6。并由维加德定律(Vegards Law)计算出x=0.53，由此可确定在原料的摩尔比为0.5: 0.5: 6时得到的InXGai-XN为In0.53Ga0.47N。用紫外一可见光分光光度计对该半导体粉末的带隙进行测量，发现In0.53Ga0.47N的带隙为1.85eV，意味着该半导体可在可见光区域进行反应。