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半导体微纳结构发光器件是目前纳米技术和传统半导体光电子器件交汇产生的前沿领域，其体积上的优势使其在未来高集成度的光电子器件研究领域具有广阔的应用前景。与量子阱结构相比，这种低维结构仅允许载流子沿某个维度的轴向方向传输，因而具有更好的载流子限制能力；此外自身的结构属性可提供更好的光场限制能力，有利于提高自发辐射效率。