【摘 要】
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国家自然基金重点项目.突破生长难题，实现了带隙能量为1.05eV 的四元化合物InGaAsP的稳定的高性能MBE 生长；利用室温键合技术，实现了四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs 电池，转
【出 处】
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2019有机光电材料制备与性能高峰研讨会
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国家自然基金重点项目.突破生长难题，实现了带隙能量为1.05eV 的四元化合物InGaAsP的稳定的高性能MBE 生长；利用室温键合技术，实现了四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs 电池，转换效率达到32.8％，聚光效率最高可以达到42％；首次研究了室温键合四结电池的电子辐照特性，确定了辐照条件下四结电池性能下降的主要原因；研究了辐射导致位移损伤缺陷特性，利用等效位移损伤剂量法，为多结电池的空间辐射效应评估奠定了基础.
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