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集成电路直径100-150mm芯片的工艺诱生缺陷
集成电路直径100-150mm芯片的工艺诱生缺陷
来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lu_bright_zhang
【摘 要】
:
研究人员调研了上海的直径100-150mm三条集成电路(IC)生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷。研究表明这些IC生产线上存在三种主要诱生缺陷,IC与离子注入,薄膜应力和高浓度替位杂质的收缩应力有关。
【作 者】
:
邹子英
闵靖
【机 构】
:
市计量测试技术研究院,上海市微电子重点实验室
【出 处】
:
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
集成电路
直径
芯片
工艺诱生缺陷
生产线上
替位杂质
收缩应力
离子注入
薄膜应力
高浓度
上海
人员
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研究人员调研了上海的直径100-150mm三条集成电路(IC)生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷。研究表明这些IC生产线上存在三种主要诱生缺陷,IC与离子注入,薄膜应力和高浓度替位杂质的收缩应力有关。
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