论文部分内容阅读
Towards high performance a-IGZO thin film transistors and circuits
【机 构】
：
School of Electronics Science and Engineering,Nanjing University,Nanjing 210093,China
【出 处】
：
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
【发表日期】
：
2015年期
其他文献
近年来,非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)因其高迁移率、高光学透过率、低制备温度和低成本等优点,吸引了学术界及工业界广泛关注,在未来大尺寸平板显示技术发展中具有很
会议
Nitride-oxide based p-n heterojunctions synthesized by depositing VO2film on p-GaN/sapphire substrat
SnO2是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,与目前应用较多的宽禁带半导体GaN、ZnO相比具有更好的化学稳定性、更宽的带隙(3.6eV)等特性.近年来这些特性使得SnO2作为制备短
会议
薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在信息显示、传感器等领域具有广泛的应用价值,而以氧化物半导体材料为基础的TFTs更是由于其高迁移率、高可见光透光性及低生长温度而
会议
作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展
会议
磷是动植物的重要组成成分,是生物体的必需元素之一.但水环境中总磷含量超过0.1mg/L会造成水中藻类植物过度繁殖,从而导致水体富营养化,使水质恶化,严重时耗尽水中氧气而造成
会议
高质量非极性面取向ZnOS薄膜的生长制备及其结构和性能探究具有重要的学术意义和潜在应用价值.由于极性面量子阱受到斯塔克效应的影响,近年来人们对ZnO的研究已经扩展到了非
面向量子器件实用化和集成化的发展趋势,基于半导体量子点的全固态器件方案是实现单光子源的理想选择.在这方面,国际上有很多研究组进行该方面的研究.到目前为止,已有利用InA
会议
声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)器件是射频滤波、信号延迟、脉冲压缩等,是无线通讯、导航等领域中信号处理技术的核心元件之一,具有插入损耗低、阻带抑制比高、带宽较
会议
本文利用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)的方法,通过调控AZO薄膜的衬底温度和氧分压,获得方阻为17.03Ω/sq的高导电率AZO薄膜.详细研究了衬底温度和氧分压对AZO
会议