脉冲激光沉积法制备SnO和SnO2外延薄膜及其性能研究

• 作 者: 郑丽兰;张迷;李磊;梁国进;黎明锴;何云赋;
• 机 构: 有机化工新材料湖北省协同创新中心,功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室,湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉,430062
• 出 处: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
• 发表日期: 2015年期

薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在信息显示、传感器等领域具有广泛的应用价值,而以氧化物半导体材料为基础的TFTs更是由于其高迁移率、高可见光透光性及低生长温度而备受关注.近年来,基于宽禁带氧化物的薄膜晶体管和平板显示技术相结合,使得显示技术日新月异地发展.然而,大部分氧化物半导体呈本征n型导电,而p型和n型半导体材料对于氧化物TFT的发展同等重要.本文采用脉冲激光沉积(PLD)法，以金属锡靶作为烧蚀靶材，02作为反应气体，在r面蓝宝石单晶衬底上生长锡的氧化物外延薄膜。通过Fig.l所示XRD图谱可知，在低氧压时得到含β-Sn金属相和α-Sn0相共存的SnOx薄膜，当氧压为0.1-0.5Pa时得到单相(001)取向的α-Sn0薄膜，当氧压高于1.0pa时则得到单相(101)取向的Sn02薄膜。