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Spin Hall Angle Quantification from Spin Pumping Voltage and Microwave Photoresistance
【机 构】
:
National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics,Nanjing University, 22
【出 处】
:
中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
:
2011年9期
其他文献
拓扑绝缘体是一种最新发现的物态.这类物质的体带有能隙,因此体内是绝缘体,而表面带没有能隙,因此表面是导体.Bi2Se3 是一种典型的拓扑绝缘体.拓扑绝缘体的一个重要的应用前景是制作自旋电子学的器件,因此磁性掺杂对拓扑绝缘体性质的影响得到了广泛关注.