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表面缺陷对Co掺杂ZnO磁性能影响的研究
【机 构】
:
浙江大学材料科学与工程学系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027
【出 处】
:
中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
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2011年9期
其他文献
Influence of steps on the spin reorientation transition and spin canting in ultrathin Fe films on Si
拓扑绝缘体是一种最新发现的物态.这类物质的体带有能隙,因此体内是绝缘体,而表面带没有能隙,因此表面是导体.Bi2Se3 是一种典型的拓扑绝缘体.拓扑绝缘体的一个重要的应用前景是制作自旋电子学的器件,因此磁性掺杂对拓扑绝缘体性质的影响得到了广泛关注.