【摘 要】
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采用原子层淀积制备了以Al2O3/Ni纳米晶/Al2O3叠层结构为栅介质层的非晶铟镓锌氧(a-IGZO)沟道的薄膜晶体管(TFT)存储器.原子层淀积的Ni纳米晶平均直径约为3-4nm,密度约为1.01
【机 构】
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微电子学院,复旦大学,上海201203
【出 处】
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2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术
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采用原子层淀积制备了以Al2O3/Ni纳米晶/Al2O3叠层结构为栅介质层的非晶铟镓锌氧(a-IGZO)沟道的薄膜晶体管(TFT)存储器.原子层淀积的Ni纳米晶平均直径约为3-4nm,密度约为1.01×1012cm-2,制备的存储器器件表现出良好的编程和电擦除特性,器件在14V,5ms下编程和在-15V,300ms下擦除条件下,器件的存储窗口达到2.62V.
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