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本文通过对实际GaN并联输出电容及串联电感和串接微带线的考虑，提出一种易实现的功放拓扑结构并通过F类负载控制理论进行理论分析。基于CREE公司GaN HEMT CGH40010实际仿真，在输入为25dBm，偏置为28V，带宽在2.98～3.02GHz时，输出功率高于38.5dBm，功率附加效率优于70％，并且在3GHz时功率附加效率达到73.4％。并且在15～30V的偏置范围内，漏极效率达到70％以上，结构的可行性得到很好验证。