论文部分内容阅读
缺陷多层结构对硅中金属杂质的吸除
【机 构】
：
工业大学材料研究中心
【出 处】
：
第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议
【发表日期】
：
1995年期
其他文献
研究了发芽出苗条件和离子注入量对去除种皮棉花种子成苗率的影响，结果表明：播种时覆土过厚是成苗率低的重要因子；离子注入处理１００次脉冲，对成苗率不构成威胁，１２０次脉冲以上，成苗率下降，但
该文从ＳＩＡ的硅微电子技术发展构图出发，在器件及其结构、工艺技术、集成电路各方面阐述了硅微电子技术在未来１５年内的发展趋势，分析了它的发展极限及未来。
该文采用多路感应偶合等离子体(ICP)刻蚀系统制备了硅微孔列阵，采用LPCVD制作了连续打拿极，得到具有一定性能的硅微通道板。分析讨论了微孔列阵的表面形貌、反应离子刻蚀滞后以
最惠国待遇原则是世贸组织的一个基本原则,是世贸组织成员平等贸易的重要保证。根据最惠国待遇原则,中国加入世贸组织后,世贸组织成员给予任何第三方的优惠、豁免或特权,中
文章从小型露天采石场安全生产入手,分析了采石场在生产过程中存在的主要危险,并对如何改善其安全生产状况作出了研究,提出了相应的安全监管措施,以期为小型露天采石场更为全