【摘 要】
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利用朗道理论的Q张量表述以及二维有限差分迭代的方法，对含有-1/2向错的HAN液晶薄盒施加一个沿向错线的匀强电场，在该电场作用下研究了不同厚度的HAN液晶薄盒中的有序重构
【机 构】
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河北工业大学理学院,天津 300401
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利用朗道理论的Q张量表述以及二维有限差分迭代的方法，对含有-1/2向错的HAN液晶薄盒施加一个沿向错线的匀强电场，在该电场作用下研究了不同厚度的HAN液晶薄盒中的有序重构现象.研究结果表明电场首先诱导缺陷附近的指向矢发生扭曲形变并且随着电场强度的逐渐增大在沿盒厚方向发生了二次本征值交换，最终在上下基板附近形成两个等厚度的双轴性层.二次本征值交换的具体过程随盒厚的不同而不同，并且达到稳定态时不同盒厚所需的阈值电场也不相同.当盒厚d≥8.5ζ0后半，随着电场强度的增大缺陷核向上基板侧移动，电场强度达到一定值时稳定在上基板附近.继续增大电场，缺陷核沿y轴方向开始扩散，在上基板附近扩散成一个双轴性层.与此同时在下基板附近也出现了明显的双轴性，最终上下基板附近形成了两个等厚度的双轴性层，是一种新的表面有序重构.当盒厚6ζ0＜d＜8.5ζ0时，随着电场强度的增大缺陷核并未向基板方向移动，而是在两基板中心沿y轴方向扩散成一个双轴性层.继续增大电场该双轴性层一分为二，分别向上下基板处移动，最终在上下基板附近也形成两个等厚度的双轴性层.当d≤6ζ0时，在临界盒厚d=6ζ0不加电场有序重构就能发生，即缺陷核在基板中心形成一双轴性层1.继续施加电场有序重构过程与6ζ0＜d＜8.5ζ0部分相同.
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