【摘 要】
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磁性半导体材料由于在自旋电子器件中潜在的应用前景,引起了广大科研工作者极大的兴趣.对于铁磁性来源问题,部分研究者认为与微结构特征有关,例如纳米团簇颗粒表面的的阴
【机 构】
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河南科技大学物理工程学院,洛阳,471023武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072
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磁性半导体材料由于在自旋电子器件中潜在的应用前景,引起了广大科研工作者极大的兴趣.对于铁磁性来源问题,部分研究者认为与微结构特征有关,例如纳米团簇颗粒表面的的阴、阳离子空位.本论文通过正电子湮没技术研究CeO2纳米晶中空位型界面缺陷,探究缺陷变化对磁性的影响.样品在6MPa下压制成型,空气中退火2小时,温度范围100-1400℃.XRD表明仅有单相存在,随温度升高结晶性得到改善.通过谢乐-德拜公式计算CeO2晶粒的大小,发现高于500℃退火,CeO2纳米晶粒径开始快速生长,颗粒团聚,界面比快速减小.
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