一种曲率补偿CMOS带隙基准源的设计

来源 :2010年全国半导体器件技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cy2cc
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基于CSMC 0.6μm CMOS工艺设计了一种低温漂二阶曲率补偿基准源。它利用被偏置在亚阈值区的MOS管的源漏电流与栅源电压的指数关系,进行曲率补偿,该电路结构简单。 HSPICE仿真表明-60~130℃内,带隙电压在1.250 O~1.250 2V之间变化,平均温度系数仅为2×10-6/℃。带隙基准源的版图面积为0.127mm2,电路功耗电流为94μA。
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