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简要介绍了常用脉冲开关在现代脉冲功率技术中的局限性,重点介绍了几种新型Si等离子体波半导体开关器件(RSD,DBD,FID,DSRD,SOS)的工作原理和应用技术。给出了目前达到的器件水平,并介绍了国内外基于这些器件的脉冲源技术水平。
新型快速高功率半导体开关器件及其应用技术
【摘 要】
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简要介绍了常用脉冲开关在现代脉冲功率技术中的局限性,重点介绍了几种新型Si等离子体波半导体开关器件(RSD,DBD,FID,DSRD,SOS)的工作原理和应用技术。给出了目前达到的器件
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
【出 处】
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2010年全国半导体器件技术研讨会
【发表日期】
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2010年期
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