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本文利用ISETCAD仿真软件,对90nm nMOSFET和pMOSFET的辐照总剂量效应进行仿真.从关态电流、阈值电压、跨导和亚阈斜率的变化来分析总剂量效应对90nm器件的影响.并分析了不同的剂量率下器件性能的变化,进而提出一种新的对于小尺寸器件Si/SiO2界面模型,很好地解释了仿真结果.
90nm～65nm MOSFET总剂量效应的ISE仿真研究
【摘 要】
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本文利用ISETCAD仿真软件,对90nm nMOSFET和pMOSFET的辐照总剂量效应进行仿真.从关态电流、阈值电压、跨导和亚阈斜率的变化来分析总剂量效应对90nm器件的影响.并分析了不同
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
【出 处】
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中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会
【发表日期】
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2006年期
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