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针对不同Bi2O3添加量对ZnO压敏陶瓷直流电场下电学稳定性的影响进行了研究.结果表明单纯增加Bi2O3添加量将对ZnO压敏陶瓷电学性能产生负面影响.随着Bi2O3添加量增加，ZnO压敏陶瓷的压敏电压剧烈降低，同时在直流电场下的电学稳定性变差，即漏电流增加和非线性下降.但在850℃热处理后可明显提高氧化锌压敏陶瓷直流电场下电学稳定性.850℃热处理使晶界富铋相发生由βBi2O2到γ-Bi2O3的相变，有效抑制了晶界氧的解吸附，产生稳固的晶界势垒，提高了电学稳定性.