全桥隔离DC/DC变换器的最小峰值电流及其虚拟功率控制方法

来源 :第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:boshi9529
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  本文以全桥隔离DC/DC 变换器为研究对象,以减少变换器硬件系统和控制系统的设计成本为目标,开展了相移控制方法的研究。首先,为减小变换器峰值电流,减少磁性元件设计成本,给出一种兼容性较高的三重相移控制方法,并给出了最小峰值电流控制算法。然后,为减小已有类似的优化控制方法的运算复杂程度,取消负载电流传感器以及实现无电感参数的依赖性,提出了一种虚拟功率控制方法。最后,基于RT-LAB 半实物实验平台搭建实验系统,实验结果表明:在宽范围输入电压的情况下,基于该虚拟功率控制的最小峰值电流控制算法能有效地减小变换器的电流应力。
其他文献
  本文针对传统直接覆铜陶瓷板(DBC)铝线键合的半导体封装模块线路杂散电感大的缺点,提出一种新型的基于DBC 与PCB 的具有多层结构的混合型低感碳化硅(SiC)半桥封装集成模
会议
  为准确的描述SiC MOSFET 的静态特性和动态特性,本文提出了一种新型的SiC MOSFET 的PSpice 仿真模型。该模型由一个理想的MOSFET,加上外围电路元件组成。为获得SiC MOSFE
会议
  GaN HEMT 具有电子迁移率高、耐高温高压和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。针对耗尽型GaN HEMT 器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器
  与传统Si-IGBT 相比,SiC-MOSFET 具有更高开关速度和更高结温,有利于减小PMSM 电机驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。先针对1kW 永磁同步电机,分别对SiC-M
  本文提出了一种新型的混合储能拓扑,使用蓄电池和超级电容作为储能元件。该拓扑具有模块化多电平储能拓扑的优点,但其成本相对较低。此外,针对SOC 均衡问题,本文提出了一种基
  电力电子技术的基础是功率半导体器件。传统硅基功率半导体器件(如IGBT、功率MOSFET 等)的发展已接近其物理极限,而新一代宽禁带半导体器件(特别是碳化硅功率器件)的优异
会议
在钢铁基材上电镀防护型沉积层是防止钢铁腐蚀的一种重要措施。锌作为较活泼且价格低廉的金属,在传统钢铁防腐保护的应用中占很大的比例。金属镍具有硬度高、低氢脆性、高耐
  本文以无工频牵引变压器电力牵引传动系统为应用背景,对其中的全桥隔离DC/DC变换器开展研究。首先,本文分析了全桥隔离DC/DC变换器的拓扑结构,引入了开关函数,并建立其数学模
会议
请下载后查看,本文暂不支持在线获取查看简介。 Please download to view, this article does not support online access to view profile.
期刊
  集成式母线型EMI 滤波器兼具传统反射式滤波器的“反射”功能和吸收式滤波器的“耗散”功能,能够对电力电子系统中的传导电磁干扰进行有效抑制;采用载流能力较强的铜条作为
会议